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我國自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅襯底產(chǎn)品面世

發(fā)布日期:2015-07-07  瀏覽次數(shù):   文章來源:銳石公司

導(dǎo)讀: 項目研發(fā)者、山東天岳公司負責人表示, 4英寸高純半絕緣碳化硅半導(dǎo)體材料的研制成功使我國擁有了自主可控的重要戰(zhàn)略半導(dǎo)體材料,
        項目研發(fā)者、山東天岳公司負責人表示, 4英寸高純半絕緣碳化硅半導(dǎo)體材料的研制成功使我國擁有了自主可控的重要戰(zhàn)略半導(dǎo)體材料,它將是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、通訊基站的核心,并將在機載雷達系統(tǒng)、地面雷達系統(tǒng)、艦載雷達系統(tǒng)以及彈載雷達系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用。
  
  我新一代雷達核心部件材料實現(xiàn)國產(chǎn)化
  
  科技日報7月6日消息,我國自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅(SiC)襯底產(chǎn)品面世。中國電子材料行業(yè)協(xié)會組織的專家認為,該成果國內(nèi)領(lǐng)先,已達到國際先進水平。
  
  碳化硅基微波功率器件具有高頻、大功率和耐高溫的特性,是新一代雷達系統(tǒng)的核心。長期以來,碳化硅基微波功率器件的核心材料高純半絕緣碳化硅襯底產(chǎn)品生產(chǎn)、加工難度大,一直是國內(nèi)空白,國際上只有少數(shù)國家掌握該技術(shù),并一直對我國進行技術(shù)封鎖和產(chǎn)品禁運。
  
  據(jù)了解,碳化硅基微波器件作為當今世界最為理想的微波器件,其功率密度是現(xiàn)有微波器件的10倍,將成為下一代雷達技術(shù)的標準,美軍干擾機和“宙斯盾”驅(qū)逐艦的相控陣雷達已開始換裝碳化硅基微波器件產(chǎn)品,軍用市場將在未來幾年推動碳化硅基微波器件的快速發(fā)展??梢哉f,研制高純半絕緣碳化硅襯底材料是我國新一代雷達系統(tǒng)獲得突破的核心課題之一。
  
  項目研發(fā)者、山東天岳公司負責人表示,4英寸高純半絕緣碳化硅半導(dǎo)體材料的研制成功使我國擁有了自主可控的重要戰(zhàn)略半導(dǎo)體材料,它將是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、通訊基站的核心,并將在機載雷達系統(tǒng)、地面雷達系統(tǒng)、艦載雷達系統(tǒng)以及彈載雷達系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用。

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原料:礬土生礦石
設(shè)備:礬土窯、冶煉爐、制砂生產(chǎn)線、磁選設(shè)備、磨粉機、化驗設(shè)備
成品:耐火原料和磨料兩個系列
規(guī)格:骨料:0-1,1-3,3-5,5-8
磨料:F12-F1200
原理:生礬土礦經(jīng)過礬土窯燒制為熟礬土,經(jīng)過電弧爐通電冶煉成為剛玉原塊,再經(jīng)破碎設(shè)備破碎制成砂子,通過磨粉機和磁選設(shè)備進行成品加工。

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